निम्नलिखित में से कौन-सा विकल्प न्यूनतम शक्ति नुकसान प्रदान करता है?

सही उत्तर विकल्प 4 (SCR) है।

संकल्पना:

• SCRs में MOSFETs की तुलना में न्यूनतम शक्ति नुकसान होता है।
• किसी भी ट्रांजिस्टर BJT या MOSFET में सक्रिय क्षेत्र में उच्च शक्ति अपव्यय होता है। निम्न स्विचिंग नुकसान इस तथ्य पर निर्भर करता है कि यह कितनी तीव्रता से सक्रिय क्षेत्र को पार करता है। तीव्रता से स्विचिंग नुकसान कम होता है और इसलिए कम बिजली अपव्यय के लिए छोटे हीटसिंक की आवश्यकता होती है। तकनीकी रूप से यह ट्रांजिस्टर के चालू और बंद होने का समय होता है।
• IGBT को हमेशा गेट वोल्टेज की निरंतर आपूर्ति की आवश्यकता होती है जबकि SCR (थाइरिस्टर) के गेट को संचालन मोड में बदलने के लिए केवल एक स्पन्द की आवश्यकता होती है।

Additional Information SCR:

निर्माण:

• SCR एक चार-परत और तीन-टर्मिनल वाला एक उपकरण है।
• P और N परतों से बनी चार परतों को वैकल्पिक रूप से इस तरह व्यवस्थित किया जाता है कि वे तीन जंक्शन J1, J2,  J3 बनाती हैं।
• निर्माण के प्रकार के आधार पर ये जंक्शन या तो मिश्रित या विसरित होते हैं।

डोपिंग स्तर:

• डोपिंग का स्तर थाइरिस्टर की विभिन्न परतों के बीच भिन्न होता है।
• कैथोड (N2) सबसे भारी डोप है। गेट और एनोड (P1 और P2)  अगले भारी डोप होते हैं।
• सबसे कम डोपिंग स्तर केंद्रीय N प्रकार की परत में होता है। यह भी अन्य परतों की तुलना में मोटा है और ये दो कारक एक बड़े अवरोधक वोल्टेज को समर्थित करने में सक्षम बनाते हैं।
• पतली परतों का अर्थ होगा कि उपकरण कम वोल्टेज पर भंजित हो जायेगा।